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MRF6V3090NR1

MRF6V3090NR1

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 主动器件

RF Power Transistor,470 to 1215MHz, 90W, Typ Gain in dB is 22 @ 860MHz, 50V, LDMOS, SOT1736

Overview

The , MRF6V3090NBR1, MRF6V3090NR5 and MRF6V3090NBR5 are designed for broadcast and commercial aerospace broadband applications with frequencies from 470 to 1215 MHz.

MoreLess

## Features

* Capable of Handling 10:1 VSWR, All Phase Angles, @ 50 Vdc, 860 MHz, 90 Watts CW Output Power

* Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

* Internally Input Matched for Ease of Use

* Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation

* Integrated ESD Protection

* Excellent Thermal Stability

* Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation

* RoHS Compliant

**NOTE: PARTS ARE SINGLE–ENDED**

## Features

**NOTE: PARTS ARE SINGLE–ENDED**RF Performance Tables

### 470-860 MHz

Typical Performance UHF 470-860 Reference Circuit: VDD = 50 Volts, IDQ = 450 mA, 64 QAM, Input Signal PAR = 9.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
.
*Signal Type** | **Pout
W
.
* | **f
MHz
.
* | **Gps
dB
.
* | **ηD
%
.
* | **Output Signal PAR
dB
.
* | **IMD Shoulder
dBc
.
*

\---|---|---|---|---|---|---

DVB-T 8k OFDM| 18 Avg. | 470| 21.6| 26.8| 8.6| –31.8

650| 22.9| 28.0| 8.7| –34.4

860| 21.9| 28.3| 7.9| –29.2

### 960-1215 MHz

Typical Performance L-band 960-1215 MHz Reference Circuit:

VDD = 50 Volts, IDQ = 100 mA.
.
*Signal Type** | **Pout
W
.
* | **f
MHz
.
* | **Pin
W
.
* | **Gps
dB
.
* | **ηD
%
.
*

\---|---|---|---|---|---

Pulse 128 µsec,

10% Duty Cycle| 90 Peak | 960| 1.3| 18.4| 55.3

1030| 1.41| 18| 56.9

1090| 1.65| 17.4| 50.7

1215| 1.68| 17.3| 51.0

MRF6V3090NR1中文资料参数规格
技术参数

频率 860 MHz

无卤素状态 Halogen Free

漏源极电压Vds 110 V

输出功率 18 W

增益 22 dB

测试电流 350 mA

输入电容Ciss 591pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 110 V

电源电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 TO-270

外形尺寸

封装 TO-270

物理参数

重量 1646.35 mg

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

MRF6V3090NR1引脚图与封装图
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在线购买MRF6V3090NR1
型号 制造商 描述 购买
MRF6V3090NR1 NXP 恩智浦 RF Power Transistor,470 to 1215MHz, 90W, Typ Gain in dB is 22 @ 860MHz, 50V, LDMOS, SOT1736 搜索库存
替代型号MRF6V3090NR1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MRF6V3090NR1

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-270AB

当前型号

RF Power Transistor,470 to 1215MHz, 90W, Typ Gain in dB is 22 @ 860MHz, 50V, LDMOS, SOT1736

当前型号

型号: MRF6V3090NBR1

品牌: 恩智浦

封装: TO-270-4

完全替代

RF Power Transistor,470 to 1215MHz, 90W, Typ Gain in dB is 22 @ 860MHz, 50V, LDMOS, SOT1735

MRF6V3090NR1和MRF6V3090NBR1的区别

型号: MRF6V3090NBR5

品牌: 恩智浦

封装: TO-270-4

完全替代

Trans RF MOSFET N-CH 110V 5Pin TO-272W T/R

MRF6V3090NR1和MRF6V3090NBR5的区别

型号: MRF6V3090NR5

品牌: 恩智浦

封装: TO-272-4

完全替代

Trans RF MOSFET N-CH 110V 5Pin TO-270W T/R

MRF6V3090NR1和MRF6V3090NR5的区别