FDS8962C、STS8C5H30L对比区别

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型号 FDS8962C STS8C5H30L

描述 双N和P沟道功率沟槽 Dual N & P-Channel Power TrenchSTMICROELECTRONICS  STS8C5H30L  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定电流 7.00 A 8.00 A

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W 1.6 W

输入电容 528 pF -

栅电荷 9.60 nC -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 ±30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) 5.00 A 8.00 A, 4.20 A

上升时间 13.0 ns 35.0 ns

输入电容(Ciss) 575pF @15V(Vds) 857pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 2 W

耗散功率(Max) 900 mW 2000 mW

通道数 - 2

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 0.018 Ω

阈值电压 - 1.6 V

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.65 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99