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STS8C5H30L

STS8C5H30L

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STS8C5H30L  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 V

The is a N/P-channel Power MOSFET for switching applications. This device is a complementary N-channel and P-channel Power MOSFET developed using STripFET™ II P-channel and STripFET™ V N-channel technologies. The resulting transistors show extremely high packing density for low ON-resistance and rugged avalanche characteristics.

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Conduction losses reduced
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Switching losses reduced
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Low threshold drive
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Standard outline for easy automated surface-mount assembly
STS8C5H30L中文资料参数规格
技术参数

额定电流 8.00 A

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.018 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.6 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 8.00 A, 4.20 A

上升时间 35.0 ns

输入电容Ciss 857pF @25VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STS8C5H30L引脚图与封装图
STS8C5H30L引脚图

STS8C5H30L引脚图

STS8C5H30L封装图

STS8C5H30L封装图

STS8C5H30L封装焊盘图

STS8C5H30L封装焊盘图

在线购买STS8C5H30L
型号 制造商 描述 购买
STS8C5H30L ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STS8C5H30L  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 V 搜索库存
替代型号STS8C5H30L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STS8C5H30L

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: SOIC N-Channel 30V 8A 22mΩ

当前型号

STMICROELECTRONICS  STS8C5H30L  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 V

当前型号

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