IPP039N04LGHKSA1、IPP039N04LGXKSA1对比区别

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型号 IPP039N04LGHKSA1 IPP039N04LGXKSA1

描述 TO-220 N-CH 40V 80AInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP039N04LGXKSA1, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 94W (Tc) 94 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 80A 80A

输入电容(Ciss) 6100pF @25V(Vds) 6100pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 94W (Tc) 94W (Tc)

额定功率 - 94 W

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.0031 Ω

阈值电压 - 1.2 V

上升时间 - 5.4 ns

额定功率(Max) - 94 W

下降时间 - 6 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

长度 10 mm 10 mm

宽度 4.4 mm 4.4 mm

高度 15.65 mm 15.65 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17