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IPP039N04LGXKSA1

IPP039N04LGXKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP039N04LGXKSA1, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装

I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V

OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP039N04LGXKSA1, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3


贸泽:
MOSFET MV POWER MOS


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 0.0031 ohm, 10 V, 1.2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin3+Tab TO-220


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3


IPP039N04LGXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 94 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0031 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 94 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 5.4 ns

输入电容Ciss 6100pF @25VVds

额定功率Max 94 W

下降时间 6 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 94W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Communications & Networking, Industrial, 通信与网络, Synchronous rectification, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, 电源管理, Motor Drive & Control, 工业, 便携式器材, 电机驱动与控制, Or-ing switches, Isolated DC-DC converters, Consumer Electronics, 计算机和计算机周边, 消费电子产品

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPP039N04LGXKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPP039N04LGXKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP039N04LGXKSA1, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装 搜索库存
替代型号IPP039N04LGXKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPP039N04LGXKSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 40V 80A

当前型号

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP039N04LGXKSA1, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装

当前型号

型号: IPP039N04LG

品牌: 英飞凌

封装: PG-TO220-3-123

类似代替

40V,80A,N沟道功率MOSFET

IPP039N04LGXKSA1和IPP039N04LG的区别

型号: IPP039N04LGHKSA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-220 N-CH 40V 80A

类似代替

TO-220 N-CH 40V 80A

IPP039N04LGXKSA1和IPP039N04LGHKSA1的区别