IPP039N04LGHKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPP039N04LGHKSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 94W Tc
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 80A
输入电容Ciss 6100pF @25VVds
耗散功率Max 94W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPP039N04LGHKSA1引脚图与封装图
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在线购买IPP039N04LGHKSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPP039N04LGHKSA1 | Infineon 英飞凌 | TO-220 N-CH 40V 80A | 搜索库存 |
替代型号IPP039N04LGHKSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPP039N04LGHKSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-220 N-CH 40V 80A | 当前型号 | TO-220 N-CH 40V 80A | 当前型号 |
| 型号： IPP039N04LGXKSA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 40V 80A | 类似代替 | Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP039N04LGXKSA1, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装 | IPP039N04LGHKSA1和IPP039N04LGXKSA1的区别 |