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MUN5215T1、MUN5215T1G、MUN5215DW1T1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5215T1 MUN5215T1G MUN5215DW1T1G

描述 MUN5215T1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 增益160-350 SOT-323/SC-70 marking/标记 8EON SEMICONDUCTOR  MUN5215T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-323ON SEMICONDUCTOR  MUN5215DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-363

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管双极性晶体管

基础参数对比

封装 SOT-363 SOT-363 SC-88-6

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 6

极性 NPN+PNP NPN+PNP NPN+PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 100 mA

耗散功率 - - 0.385 W

最小电流放大倍数(hFE) - - 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) - - 250 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 385 mW

封装 SOT-363 SOT-363 SC-88-6

产品生命周期 End of Life Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - - EAR99