MUN5215T1、MUN5215T1G、MUN5215DW1T1G对比区别
型号 MUN5215T1 MUN5215T1G MUN5215DW1T1G
描述 MUN5215T1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 增益160-350 SOT-323/SC-70 marking/标记 8EON SEMICONDUCTOR MUN5215T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-323ON SEMICONDUCTOR MUN5215DW1T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-363
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 晶体管双极性晶体管
封装 SOT-363 SOT-363 SC-88-6
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 6
极性 NPN+PNP NPN+PNP NPN+PNP
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
额定电压(DC) - - 50.0 V
额定电流 - - 100 mA
耗散功率 - - 0.385 W
最小电流放大倍数(hFE) - - 80 @5mA, 10V
额定功率(Max) - - 250 mW
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 385 mW
封装 SOT-363 SOT-363 SC-88-6
产品生命周期 End of Life Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃
ECCN代码 - - EAR99