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BCR08PN
Infineon 英飞凌 电子元器件分类

BCR08PN NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 100mA/-100mA 70 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记WF 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

Features •NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array •Switching circuit, inverter, interface circuit,driver circuit •Two galvanic internal isolated NPN/PNPTransistors in one package •Built in bias resistor R1=2.2k , R2=47k


BCR08PN中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 End of Life

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCR08PN引脚图与封装图
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BCR08PN Infineon 英飞凌 BCR08PN NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 100mA/-100mA 70 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记WF 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路 搜索库存
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型号: BCR08PN

品牌: Infineon 英飞凌

封装:

当前型号

BCR08PN NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 100mA/-100mA 70 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记WF 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

当前型号

型号: MUN5334DW1T1

品牌: 安森美

封装: SOT-363 NPN+PNP

类似代替

双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

BCR08PN和MUN5334DW1T1的区别

型号: MUN5335DW1T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-363 NPN 50V 100mA 385mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MUN5335DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率, SOT-363

BCR08PN和MUN5335DW1T1G的区别

型号: PUMD10,115

品牌: 安世

封装: 6-TSSOP

功能相似

Nexperia PUMD10,115 双 NPN + PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 6引脚 UMT封装

BCR08PN和PUMD10,115的区别