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EMD5DXV6T1、EMD5DXV6T5G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 EMD5DXV6T1 EMD5DXV6T5G

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsSOT-563 NPN+PNP 50V 100mA

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6

封装 SOT-563 SOT-563

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA

无卤素状态 - Halogen Free

极性 NPN+PNP NPN+PNP

耗散功率 - 500 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 20

额定功率(Max) 500 mW 500 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW

封装 SOT-563 SOT-563

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - EAR99