EMD5DXV6T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN+PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-563
外形尺寸
封装 SOT-563
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Reduces Component Count
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
EMD5DXV6T1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买EMD5DXV6T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| EMD5DXV6T1 | ON Semiconductor 安森美 | 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors | 搜索库存 |
替代型号EMD5DXV6T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EMD5DXV6T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-563 NPN PNP 50V 100mA | 当前型号 | 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors | 当前型号 |
| 型号： EMD5DXV6T5G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN PNP 50V 100mA 500mW | 完全替代 | SOT-563 NPN+PNP 50V 100mA | EMD5DXV6T1和EMD5DXV6T5G的区别 |