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CY14MB064J2-SXI、CY14MB064J2A-SXI、N64S830HAS22I对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14MB064J2-SXI CY14MB064J2A-SXI N64S830HAS22I

描述 64千位(为8K ×8 )串行( I2C )的nvSRAM非易失性存储/调用 64-Kbit (8 K x 8) Serial (I2C) nvSRAM Nonvolatile STORE/RECALL64千位( 8 K A ?? 8 )串行( I2C )的nvSRAM 64-Kbit (8 K × 8) Serial (I2C) nvSRAMRAM,ON Semiconductor串行静态随机存取存储器 (SRAM)。### SRAM(静态随机存取存储器)

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) ON Semiconductor (安森美)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

存取时间(Max) 900 ns 900 ns 25 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

频率 - - 20 MHz

电源电压(DC) - - 2.50V (min)

无卤素状态 - - Halogen Free

时钟频率 - - 20 MHz

位数 - - 8

存取时间 - - 25 ns

内存容量 - - 8000 B

供电电流 1 mA - -

耗散功率(Max) 1 W - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 1.48 mm - 1.5 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 - 3A991.b.2.a EAR99