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LM358DR、LM358WDT、LM358DR2G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM358DR LM358WDT LM358DR2G

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LM358DR  运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.4 V/µs, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚签名系列运算放大器 SIGNATURE SERIES Operational AmplifiersON SEMICONDUCTOR  LM358DR2G.  运算放大器

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 30mA @15V - 40 mA

供电电流 1 mA 700 µA 1.5 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 - 2

针脚数 8 - 8

共模抑制比 65 dB - 70 dB

输入补偿漂移 7.00 µV/K - -

带宽 700 kHz - 1 MHz

转换速率 300 mV/μs - 600 mV/μs

增益频宽积 700 kHz 1.1 MHz 1 MHz

输入补偿电压 3 mV 2 mV 2 mV

输入偏置电流 20 nA 20 nA 45 nA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 0.7 MHz 1.1 MHz 1 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB - 65 dB

工作电压 - - 3V ~ 32V

无卤素状态 - - Halogen Free

电源电压 - - 3V ~ 32V

电源电压(Max) - - 32 V

电源电压(Min) - - 3 V

输入电压 - - 0V ~ 28.3V

耗散功率 - 450 mW -

长度 4.9 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 3.91 mm 3.9 mm 4 mm

高度 1.58 mm 1.38 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2018/06/27 - -

ECCN代码 - - EAR99