BC857CT-7-F、BC857CT,115、BC857CWT1G对比区别

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型号 BC857CT-7-F BC857CT,115 BC857CWT1G

描述 BC857CT-7-F 编带NXP  BC857CT,115  单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 420 hFEPNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-523-3 SOT-416 SC-70-3

频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) - - -45.0 V

额定电流 - - -100 mA

针脚数 3 3 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 150 mW 150 mW 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) 150 mW 150 mW 150 mW

直流电流增益(hFE) 520 420 420

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -65 ℃ -50 ℃

耗散功率(Max) 150 mW 150 mW 150 mW

增益频宽积 100 MHz - -

长度 1.6 mm - 2.2 mm

宽度 0.8 mm - 1.35 mm

高度 0.75 mm - 0.9 mm

封装 SOT-523-3 SOT-416 SC-70-3

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2016/06/20

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - EAR99