频率 100 MHz
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 420
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416
封装 SOT-416
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Industrial, Portable Devices
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC857CT,115 | NXP 恩智浦 | NXP BC857CT,115 单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 420 hFE | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC857CT,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-75 PNP 150mW | 当前型号 | NXP BC857CT,115 单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 420 hFE | 当前型号 |
| 型号： BC857CT 品牌： 恩智浦 封装： | 类似代替 | PNP 晶体管，NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors | BC857CT,115和BC857CT的区别 |
| 型号： BC857CLT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -45V -100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC857CLT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 420 hFE | BC857CT,115和BC857CLT1G的区别 |
| 型号： BC857CT-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-523 PNP 150mW | 功能相似 | BC857CT-7-F 编带 | BC857CT,115和BC857CT-7-F的区别 |
