TIP112、TIP112TU、TIP112G对比区别

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型号 TIP112 TIP112TU TIP112G

描述 整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt ResistorsNPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ON SEMICONDUCTOR  TIP112G  达林顿双极晶体管

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 2.00 A 2.00 A 2.00 A

额定功率 - 2 W -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 50 W 50 W 50 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 - 2A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @1A, 4V 1000 @1A, 4V 1000 @1A, 4V

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

直流电流增益(hFE) 1000 1000 1000

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 50 W 2000 mW

输出电压 - - 100 V

输出电流 - - 2 A

针脚数 - - 3

热阻 - - 62.5℃/W (RθJA)

输入电压 - - 5 V

长度 - 10.67 mm 10.28 mm

宽度 - 4.83 mm 4.83 mm

高度 9.4 mm 16.51 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99