TIP112TU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
TIP112TU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 2.00 A
额定功率 2 W
极性 NPN
耗散功率 50 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 1000 @1A, 4V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 1000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 50 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
TIP112TU引脚图与封装图
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在线购买TIP112TU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TIP112TU | Fairchild 飞兆/仙童 | NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 搜索库存 |
替代型号TIP112TU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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| 型号： TIP112 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 NPN 100V 2A 2000mW | 类似代替 | 整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors | TIP112TU和TIP112的区别 |
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