AOB11S60L、IPB65R380C6、NDD60N360U1-1G对比区别

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型号 AOB11S60L IPB65R380C6 NDD60N360U1-1G

描述 D2PAK N-CH 600V 11A650V,10.6A,N沟道高电压功率MOSFET600V,11A,360mΩ,单N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-247-3

引脚数 - - 3

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 178 W 83 W 114W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 700 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 11A 10.6A -

输入电容(Ciss) 545pF @100V(Vds) - 790pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 178 W - -

耗散功率(Max) 178W (Tc) - 114W (Tc)

通道数 - 1 -

上升时间 - 12 ns -

下降时间 - 11 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

无卤素状态 - - Halogen Free

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-247-3

长度 - 10 mm -

宽度 - 9.25 mm -

高度 - 4.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free