AOB11S60L

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

D2PAK N-CH 600V 11A

N-Channel 600V 11A Tc 178W Tc Surface Mount TO-263 D²Pak

得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A TO263

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 178W; TO263

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK

DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 11A TO263

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11A TO263

AOB11S60L中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 178 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 11A

输入电容Ciss 545pF @100VVds

额定功率Max 178 W

耗散功率Max 178W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AOB11S60L引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
AOB11S60L	Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体	D2PAK N-CH 600V 11A	搜索库存

替代型号AOB11S60L

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： AOB11S60L 品牌： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体封装： TO-263-3 N-CH 600V 11A	当前型号	D2PAK N-CH 600V 11A	当前型号
型号： AOD11S60 品牌：万代半导体封装： TO-252 N-CH 600V 11A	功能相似	DPAK N-CH 600V 11A	AOB11S60L和AOD11S60的区别
型号： NDD60N360U1-35G 品牌：安森美封装： IPAK-3 N-CH 600V 11A	功能相似	600V,11A,360mΩ,单N沟道功率MOSFET	AOB11S60L和NDD60N360U1-35G的区别
型号： IPB65R380C6 品牌：英飞凌封装： TO-263 N-CH 700V 10.6A	功能相似	650V,10.6A,N沟道高电压功率MOSFET	AOB11S60L和IPB65R380C6的区别