IPB65R380C6
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
IPB65R380C6中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 83 W
漏源极电压Vds 700 V
连续漏极电流Ids 10.6A
上升时间 12 ns
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPB65R380C6引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPB65R380C6
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB65R380C6 | Infineon 英飞凌 | 650V,10.6A,N沟道高电压功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号IPB65R380C6
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPB65R380C6 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263 N-CH 700V 10.6A | 当前型号 | 650V,10.6A,N沟道高电压功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： AOD11S60 品牌： 万代半导体 封装： TO-252 N-CH 600V 11A | 功能相似 | DPAK N-CH 600V 11A | IPB65R380C6和AOD11S60的区别 |
| 型号： AOB11S60L 品牌： 万代半导体 封装： TO-263-3 N-CH 600V 11A | 功能相似 | D2PAK N-CH 600V 11A | IPB65R380C6和AOB11S60L的区别 |
| 型号： NDD60N360U1-1G 品牌： 安森美 封装： IPAK-4 | 功能相似 | 600V,11A,360mΩ,单N沟道功率MOSFET | IPB65R380C6和NDD60N360U1-1G的区别 |