JAN2N3019S、JANTX2N3019S、2N3019S对比区别

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型号 JAN2N3019S JANTX2N3019S 2N3019S

描述 Trans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin TO-39 Bulk低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-39-3 TO-39-3 TO-39-3

耗散功率 - 800 mW 800 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) - 50 @500mA, 10V 50 @500mA, 10V

额定功率(Max) - 800 mW 800 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

极性 NPN - -

封装 TO-39-3 TO-39-3 TO-39-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Box Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

军工级 Yes Yes -