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JAN2N3019S

JAN2N3019S

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 主动器件
JAN2N3019S中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-39-3

外形尺寸

封装 TO-39-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

军工级 Yes

JAN2N3019S引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JAN2N3019S ON Semiconductor 安森美 Trans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin TO-39 Bulk 搜索库存
替代型号JAN2N3019S
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JAN2N3019S

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-39-3 NPN

当前型号

Trans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin TO-39 Bulk

当前型号

型号: JANTX2N3019S

品牌: 美高森美

封装: TO-39 800mW

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型号: 2N3019

品牌: NTE Electronics

封装: TO-39 NPN

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型号: 2N3019S

品牌: 美高森美

封装: ~30deg 800mW

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