2N3019S
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
2N3019S中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 800 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 10V
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39-3
外形尺寸
封装 TO-39-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
2N3019S引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N3019S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3019S 品牌： Microsemi 美高森美 封装： ~30deg 800mW | 当前型号 | 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N3019S 品牌： 美高森美 封装： TO-39 800mW | 完全替代 | 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | 2N3019S和JANTX2N3019S的区别 |
| 型号： JAN2N3019S 品牌： 安森美 封装： TO-39-3 NPN | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin TO-39 Bulk | 2N3019S和JAN2N3019S的区别 |
| 型号： JAN2N3019 品牌： 美高森美 封装： ~30deg 800mW | 功能相似 | 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | 2N3019S和JAN2N3019的区别 |