FDS6875、FDS9933BZ、SI4963BDY-T1-E3对比区别

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型号 FDS6875 FDS9933BZ SI4963BDY-T1-E3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6875  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 6 A, -20 V, 0.024 ohm, -4.5 V, -800 mV双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET ™ Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.9 A, -20 V, 0.025 ohm, -2.5 V, -1.4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.024 Ω - 0.025 Ω

极性 P-Channel P-CH Dual P

耗散功率 2 W 1.6 W 1.1 W

阈值电压 - - 1.4 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) -6.00 A 4.9A 4.9A

上升时间 15 ns 9.3 ns 40 ns

额定功率(Max) 900 mW 900 mW 1.1 W

下降时间 35 ns 9.3 ns 55 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

输入电容(Ciss) 2250pF @10V(Vds) 985pF @10V(Vds) -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2000 mW 900 mW -

额定电压(DC) -20.0 V - -

额定电流 -6.00 A - -

通道数 2 - -

输入电容 2.25 nF - -

栅电荷 23.0 nC - -

漏源击穿电压 20 V - -

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.9 mm 3.9 mm -

高度 1.5 mm 1.75 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -