FDS9933BZ
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS9933BZ中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 1.6 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 4.9A
上升时间 9.3 ns
输入电容Ciss 985pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 9.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 900 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDS9933BZ引脚图与封装图
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在线购买FDS9933BZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS9933BZ | Fairchild 飞兆/仙童 | 双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET ™ Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS9933BZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS9933BZ 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： 8-SOIC P-CH 20V 4.9A | 当前型号 | 双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET ™ Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDS6890A 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 20V 7.5A 13mohms 2.13nF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6890A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 800 mV | FDS9933BZ和FDS6890A的区别 |
| 型号： FDS6875 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC P-Channel -20V -6A 30mohms 2.25nF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6875 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 6 A, -20 V, 0.024 ohm, -4.5 V, -800 mV | FDS9933BZ和FDS6875的区别 |
| 型号： SI4966DY-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC | 功能相似 | MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 20V; RDSON 0.019Ω; ID +/-7.1A; SO-8; PD 2W; VGS +/-1 | FDS9933BZ和SI4966DY-T1-E3的区别 |