BSH202,215、SI2303CDS-T1-GE3、SI2303BDS-T1-E3对比区别

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型号 BSH202,215 SI2303CDS-T1-GE3 SI2303BDS-T1-E3

描述 BSH 系列 -30 V 0.9 Ω 417 mW P-沟道 增强型 MOS 晶体管 - SOT-23VISHAY  SI2303CDS-T1-GE3.  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -2.7AVISHAY  SI2303BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.49 A, -30 V, 0.15 ohm, -10 V, -3 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.63 Ω 0.158 Ω 0.15 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 417 mW 2.3 W 700 mW

漏源极电压(Vds) 30 V -30.0 V -30.0 V

连续漏极电流(Ids) -520 mA -2.70 A 1.49 A

输入电容(Ciss) 80pF @24V(Vds) 155pF @15V(Vds) 180pF @15V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 417mW (Ta) 1000 mW 0.7 W

上升时间 4.5 ns 37 ns -

下降时间 20 ns 9 ns -

额定功率(Max) 417 mW - -

长度 - 3.04 mm 3.04 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

高度 - 1.02 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active - Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 -