SI2303BDS-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 700 mW
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids 1.49 A
输入电容Ciss 180pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.7 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI2303BDS-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI2303BDS-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI2303BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.49 A, -30 V, 0.15 ohm, -10 V, -3 V | 搜索库存 |
替代型号SI2303BDS-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI2303BDS-T1-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOT-23 P-Channel 30V 1.49A 380mΩ | 当前型号 | VISHAY SI2303BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.49 A, -30 V, 0.15 ohm, -10 V, -3 V | 当前型号 |
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