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BSH202,215

BSH202,215

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

BSH 系列 -30 V 0.9 Ω 417 mW P-沟道 增强型 MOS 晶体管 - SOT-23

P-Channel 30V 520mA Ta 417mW Ta Surface Mount TO-236AB


得捷:
MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin TO-236AB T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin TO-236AB T/R


富昌:
BSH Series 30 V 0.9 Ohm 417 mW P-Channel Enhancement MOS Transistor - SOT-23-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin TO-236AB T/R


Newark:
# NXP  BSH202,215  MOSFET Transistor, P Channel, -520 mA, -30 V, 0.63 ohm, -10 V, -1.9 V


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23


BSH202,215中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.63 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 417 mW

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids -520 mA

上升时间 4.5 ns

输入电容Ciss 80pF @24VVds

额定功率Max 417 mW

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 417mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSH202,215引脚图与封装图
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在线购买BSH202,215
型号 制造商 描述 购买
BSH202,215 NXP 恩智浦 BSH 系列 -30 V 0.9 Ω 417 mW P-沟道 增强型 MOS 晶体管 - SOT-23 搜索库存
替代型号BSH202,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSH202,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-236AB P-Channel 30V 520mA

当前型号

BSH 系列 -30 V 0.9 Ω 417 mW P-沟道 增强型 MOS 晶体管 - SOT-23

当前型号

型号: FDV304P

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-23 P-Channel -25V 460mA 1.1ohms

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDV304P  晶体管, MOSFET, P沟道, -460 mA, -25 V, 1.22 ohm, 2.7 V, -860 mV

BSH202,215和FDV304P的区别

型号: SI2303CDS-T1-GE3

品牌: 威世

封装: SOT-23 P-Channel -30V -2.7A

功能相似

VISHAY  SI2303CDS-T1-GE3.  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -2.7A

BSH202,215和SI2303CDS-T1-GE3的区别