BSH202,215
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BSH202,215中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.63 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 417 mW
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids -520 mA
上升时间 4.5 ns
输入电容Ciss 80pF @24VVds
额定功率Max 417 mW
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 417mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
BSH202,215引脚图与封装图
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在线购买BSH202,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSH202,215 | NXP 恩智浦 | BSH 系列 -30 V 0.9 Ω 417 mW P-沟道 增强型 MOS 晶体管 - SOT-23 | 搜索库存 |
替代型号BSH202,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSH202,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236AB P-Channel 30V 520mA | 当前型号 | BSH 系列 -30 V 0.9 Ω 417 mW P-沟道 增强型 MOS 晶体管 - SOT-23 | 当前型号 |
| 型号： FDV304P 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 P-Channel -25V 460mA 1.1ohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV304P 晶体管, MOSFET, P沟道, -460 mA, -25 V, 1.22 ohm, 2.7 V, -860 mV | BSH202,215和FDV304P的区别 |
| 型号： SI2303CDS-T1-GE3 品牌： 威世 封装： SOT-23 P-Channel -30V -2.7A | 功能相似 | VISHAY SI2303CDS-T1-GE3. 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -2.7A | BSH202,215和SI2303CDS-T1-GE3的区别 |