STP13NM60N、STP27N3LH5、FCP11N60对比区别

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型号 STP13NM60N STP27N3LH5 FCP11N60

描述 N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 27A 3Pin(3+Tab) TO-220 TubeFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCP11N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 320 mohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 11.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 0.28 Ω - 320 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 90 W 45 W 125 W

阈值电压 3 V - 5 V

输入电容 - - 1.15 nF

栅电荷 - - 40.0 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 30 V 600 V

漏源击穿电压 - - 600 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 5.50 A - 11.0 A

上升时间 8 ns 22 ns 98 ns

输入电容(Ciss) 790pF @50V(Vds) 475pF @25V(Vds) 1490pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 90 W 45 W 125 W

下降时间 10 ns 2.8 ns 56 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 90W (Tc) 45W (Tc) 125 W

通道数 1 1 -

长度 10.4 mm - 10.1 mm

宽度 4.6 mm - 4.7 mm

高度 15.75 mm - 9.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 NLR - -