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FCP11N60
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCP11N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 320 mohm, 10 V, 5 V

The is a 650V N-channel SuperFET® MOSFET, high voltage super-junction SJ MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications. This product is general usage and suitable for many different applications.

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Ultra low gate charge
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Low effective output capacitance
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100% Avalanche tested
FCP11N60中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 11.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 320 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 5 V

输入电容 1.15 nF

栅电荷 40.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 98 ns

输入电容Ciss 1490pF @25VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 56 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FCP11N60引脚图与封装图
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在线购买FCP11N60
型号 制造商 描述 购买
FCP11N60 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCP11N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 320 mohm, 10 V, 5 V 搜索库存
替代型号FCP11N60
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FCP11N60

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-220 N-Channel 600V 11A 320mohms 1.15nF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCP11N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 320 mohm, 10 V, 5 V

当前型号

型号: STP13NM60N

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 5.5A

功能相似

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

FCP11N60和STP13NM60N的区别

型号: STP20NM60

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 600V 20A 290mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP20NM60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 290 mohm, 30 V, 4 V

FCP11N60和STP20NM60的区别

型号: SPP11N60C3

品牌: 英飞凌

封装: TO-220-3 N-Channel 650V 11A

功能相似

INFINEON  SPP11N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 380 mohm, 10 V, 3 V

FCP11N60和SPP11N60C3的区别