
通道数 1
极性 N-Channel
耗散功率 45 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 475pF @25VVds
额定功率Max 45 W
下降时间 2.8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 45W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STP27N3LH5 | ST Microelectronics 意法半导体 | Trans MOSFET N-CH 30V 27A 3Pin3+Tab TO-220 Tube | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: STP27N3LH5 品牌: ST Microelectronics 意法半导体 封装: TO-220-3 N-Channel | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 27A 3Pin3+Tab TO-220 Tube | 当前型号 | |
型号: STP13NM60N 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 5.5A | 类似代替 | N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | STP27N3LH5和STP13NM60N的区别 | |
型号: STP18N55M5 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel | 类似代替 | STMICROELECTRONICS STP18N55M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V | STP27N3LH5和STP18N55M5的区别 | |
型号: STP19NM50N 品牌: 意法半导体 封装: TO-220-3 N-Channel | 类似代替 | N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | STP27N3LH5和STP19NM50N的区别 |