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LM10CLN、LM10CLN/NOPB、LM10CN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM10CLN LM10CLN/NOPB LM10CN

描述 运算放大器和基准电压源 Operational Amplifier and Voltage ReferenceTEXAS INSTRUMENTS  LM10CLN/NOPB  运算放大器, 双路, 90 kHz, 2个放大器, 0.2 V/µs, 1.1V 至 7V, DIP, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  LM10CN  运算放大器, 单路, 90 kHz, 1个放大器, 0.2 V/µs, 1.1V 至 45V, DIP, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 National Semiconductor (美国国家半导体) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP DIP-8 DIP-8

带宽 90 kHz 90 kHz 90 kHz

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 0.4 MHz - 0.4 MHz

电源电压 1.1V ~ 7V 1.1V ~ 7V 1.1V ~ 45V

电源电压(Max) 40 V 7 V 40 V

电源电压(Min) 1.1 V 1.1 V 1.1 V

电源电压(DC) - 7.00 V 40.0 V

输出电流 - 20.0 mA 20.0 mA

供电电流 - 280 µA 300 µA

电路数 - 1 1

通道数 - 1 2

针脚数 - 8 8

共模抑制比 - 90dB ~ 102dB 90 dB

输入补偿漂移 - 2.00 µV/K 5.00 µV/K

转换速率 - 200 mV/μs 200 mV/μs

增益频宽积 - 90 kHz 90.0 kHz

输入补偿电压 - 500 µV 500 µV

输入偏置电流 - 12 nA 12 nA

共模抑制比(Min) - 90 dB 90 dB

封装 DIP DIP-8 DIP-8

宽度 - 6.35 mm 6.35 mm

长度 - 10.16 mm -

高度 - 5.08 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Each Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/06/15 2015/06/15

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC