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MJE172、MJE172G、MJE170G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE172 MJE172G MJE170G

描述 STMICROELECTRONICS  MJE172  单晶体管 双极, PNP, 80 V, 50 MHz, 12.5 W, 3 A, 50 hFEON SEMICONDUCTOR  MJE172G  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, 12 hFE 新ON SEMICONDUCTOR  MJE170G  双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

频率 50 MHz 50 MHz 50 MHz

额定电压(DC) -100 V -80.0 V -40.0 V

额定电流 -3.00 A 3.00 A 2.00 A

针脚数 3 3 3

极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 12.5 W 1.5 W 12.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 40 V

热阻 - 10℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 - 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 50 @100mA, 1V 50 @100mA, 1V 50 @100mA, 1V

额定功率(Max) 12.5 W 1.5 W 1.5 W

直流电流增益(hFE) 50 12 50

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 12500 mW 12500 mW 12500 mW

增益频宽积 - - 50 MHz

最大电流放大倍数(hFE) 250 - -

长度 - 7.8 mm 7.74 mm

宽度 2.7 mm 2.66 mm 2.66 mm

高度 - 11.1 mm 11.04 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2016/06/20

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -