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MJE172

MJE172

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  MJE172  单晶体管 双极, PNP, 80 V, 50 MHz, 12.5 W, 3 A, 50 hFE

Bipolar BJT Transistor PNP 80V 3A 50MHz 12.5W Through Hole SOT-32-3


得捷:
TRANS PNP 80V 3A SOT32-3


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 3A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 3A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 3A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 3A 12500mW 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 50 MHz, 12.5 W, 3 A, 50 hFE


MJE172中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC -100 V

额定电流 -3.00 A

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 12.5 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 12.5 W

直流电流增益hFE 50

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 12500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

宽度 2.7 mm

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

香港进出口证 NLR

MJE172引脚图与封装图
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在线购买MJE172
型号 制造商 描述 购买
MJE172 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  MJE172  单晶体管 双极, PNP, 80 V, 50 MHz, 12.5 W, 3 A, 50 hFE 搜索库存
替代型号MJE172
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MJE172

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： SOT-32 PNP -100V -3A 12500mW

当前型号

STMICROELECTRONICS  MJE172  单晶体管 双极, PNP, 80 V, 50 MHz, 12.5 W, 3 A, 50 hFE

当前型号

型号： MJE172G

品牌： 安森美

封装： TO-126 PNP -80V 3A 12500mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MJE172G  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, 12 hFE 新

MJE172和MJE172G的区别

型号： MJE170G

品牌： 安森美

封装： DO-214 PNP -40V 2A 12500mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MJE170G  双极晶体管

MJE172和MJE170G的区别