FQPF7N10、STD60NF06T4、FDH44N50对比区别

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型号 FQPF7N10 STD60NF06T4 FDH44N50

描述 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDH44N50, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-247-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 5.50 A - -

通道数 1 - -

漏源极电阻 350 mΩ 0.014 Ω 0.11 Ω

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 23 W 110 W 750 W

漏源极电压(Vds) 100 V 60 V 500 V

漏源击穿电压 100 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 5.50 A 60.0 A -

上升时间 24 ns 108 ns 84 ns

输入电容(Ciss) 250pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 5335pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 23 W 110 W 750 W

下降时间 19 ns 20 ns 79 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 23W (Tc) 110W (Tc) 750 W

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 4 V 3.15 V

长度 10.67 mm 6.6 mm 15.87 mm

宽度 4.7 mm 6.2 mm 4.82 mm

高度 16.3 mm 2.4 mm 20.82 mm

封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -