FQPF7N10
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF7N10中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 5.50 A
通道数 1
漏源极电阻 350 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 23 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 5.50 A
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 250pF @25VVds
额定功率Max 23 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 23W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQPF7N10引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQPF7N10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQPF7N10 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-Channel 100V 5.5A 350mohms | 当前型号 | 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STD60NF06T4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 60V 60A 14mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQPF7N10和STD60NF06T4的区别 |
| 型号： STD6N95K5 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 950V 9A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD6N95K5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 V | FQPF7N10和STD6N95K5的区别 |
| 型号： FQP17P06 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 | 功能相似 | FQP17P06 系列 60 V 0.12 Ohm 通孔 P沟道 Mosfet - TO-220-3 | FQPF7N10和FQP17P06的区别 |