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DMP2160U-7、SI2367DS-T1-GE3、DMP2130L-7对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMP2160U-7 SI2367DS-T1-GE3 DMP2130L-7

描述 P沟道,Vdss=20V,Idss=3.2AVISHAY  SI2367DS-T1-GE3  晶体管, P沟道P沟道 20V 3A

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Vishay Semiconductor (威世) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 TO-236 SOT-23-3

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 1.4 W 960 mW 1.4 W

输入电容 - - 443 pF

漏源极电压(Vds) 20 V -20.0 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 3.3A -3.80 A 3A

上升时间 10.3 ns 20 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 627pF @10V(Vds) 561pF @10V(Vds) 443pF @16V(Vds)

额定功率(Max) 1.4 W - 1.4 W

下降时间 22.2 ns 10 ns 41 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1400 mW 1.7 W 1400 mW

通道数 1 - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.06 Ω 0.066 Ω -

阈值电压 600 mV - -

漏源击穿电压 20 V - -

长度 2.9 mm 3.04 mm 2.9 mm

封装 SOT-23-3 TO-236 SOT-23-3

宽度 1.3 mm 1.4 mm -

高度 1 mm 1.02 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -