DMP2160U-7

P沟道,Vdss=20V,Idss=3.2A

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage | ±12V 最大漏极电流IdDrain Current | -3.3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 140 mΩ @ VGS = -1.8V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -0.4V~-0.9V 耗散功率PdPower Dissipation | 1.4W Description & Applications | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET.

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Battery Charging . * Power Management Functions . * DC-DC Converters . * Portable Power Adaptors. * Low On-Resistance . 75 mΩ @ VGS = -4.5V , 96 mΩ @ VGS = -2.5V , 140 mΩ @ VGS = -1.8V . * Very Low Gate Threshold Voltage VGSth ≤ 1V . * Low Input Capacitance . * Fast Switching Speed . * Low Input/Output Leakage. 描述与应用 | P-沟道增强型MOSFET。 *电池充电。 *电源管理功能。 * DC-DC转换器。 *便携式电源适配器。 *低导通电阻。 75MΩ@ VGS=-4.5V，96MΩ@ VGS=-2.5V，140MΩ@ VGS=-1.8V。 *非常低的栅极阈值电压VGS（TH）≤1V。 *低输入电容。 *开关速度快。 *低输入/输出漏。