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SI3469DV-T1-GE3、SI3483CDV-T1-GE3、PMN48XP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI3469DV-T1-GE3 SI3483CDV-T1-GE3 PMN48XP

描述 VISHAY  SI3469DV-T1-GE3.  晶体管, P沟道VISHAY  SI3483CDV-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 27 mohm, -10 V, -3 VNXP  PMN48XP  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.1 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 6 6 6

封装 TSOP TSOP-6 SOT-457

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

针脚数 6 6 6

漏源极电阻 0.024 Ω 0.027 Ω 0.048 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.14 W 4.2 W 530 mW

漏源极电压(Vds) -20.0 V -30.0 V 20 V

连续漏极电流(Ids) -6.70 A -6.10 A 4.1A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

输入电容(Ciss) - 1000pF @15V(Vds) -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 4.2 W -

封装 TSOP TSOP-6 SOT-457

长度 - 3.1 mm -

宽度 - 1.7 mm -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 - - Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 - EAR99 -