针脚数 6
漏源极电阻 0.048 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 530 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 4.1A
工作温度Max 150 ℃
引脚数 6
封装 SOT-457
封装 SOT-457
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Automation & Process Control, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PMN48XP | NXP 恩智浦 | NXP PMN48XP 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.1 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PMN48XP 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-457 P-Channel 20V 4.1A | 当前型号 | NXP PMN48XP 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.1 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1 V | 当前型号 | |
型号: FDC634P 品牌: 飞兆/仙童 封装: SSOT P-Channel 20V 3.5A 80mohms 779pF | 功能相似 | PowerTrench® P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | PMN48XP和FDC634P的区别 | |
型号: SI3433CDV-T1-GE3 品牌: 威世 封装: TSOP P-Channel -20V -5.2A | 功能相似 | P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor | PMN48XP和SI3433CDV-T1-GE3的区别 | |
型号: SI3469DV-T1-GE3 品牌: 威世 封装: TSOP P-Channel -20V -6.7A | 功能相似 | VISHAY SI3469DV-T1-GE3. 晶体管, P沟道 | PMN48XP和SI3469DV-T1-GE3的区别 |