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BC857CLT3G、SBC857CLT1G、BC857C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC857CLT3G SBC857CLT1G BC857C

描述 通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP SiliconPNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管Transistor: PNP; bipolar; 50V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz

极性 PNP PNP -

耗散功率 0.3 W 225 mW 0.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V - -

额定功率(Max) 300 mW 300 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 250 mW

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 270 -

增益频宽积 - - 100 MHz

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 2.64 mm -

高度 - 1.11 mm -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99