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MJD200G、MJD200T4、MJD200T5G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD200G MJD200T4 MJD200T5G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJD200G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 65 MHz, 1.4 W, 5 A, 65 hFE互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power TransistorsTRANS NPN 25V 5A DPAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V -

额定电流 5 A 5.00 A -

极性 NPN NPN -

耗散功率 1.4 W 12.5 W -

增益频宽积 65 MHz 65 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V

集电极最大允许电流 5A 5A -

最小电流放大倍数(hFE) 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V

额定功率(Max) 1.4 W 1.4 W 1.4 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -

耗散功率(Max) 1400 mW 1400 mW -

频率 65 MHz - -

针脚数 3 - -

热阻 10℃/W (RθJC) - -

直流电流增益(hFE) 65 - -

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.38 mm 2.38 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2018/01/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -