MJD200G中文资料参数规格
技术参数
频率 65 MHz
额定电压DC 25.0 V
额定电流 5 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1.4 W
增益频宽积 65 MHz
击穿电压集电极-发射极 25 V
热阻 10℃/W RθJC
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 45 @2A, 1V
额定功率Max 1.4 W
直流电流增益hFE 65
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2018/01/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJD200G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MJD200G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD200G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MJD200G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 65 MHz, 1.4 W, 5 A, 65 hFE | 搜索库存 |
替代型号MJD200G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD200G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-252-3 NPN 25V 5A 1400mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MJD200G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 65 MHz, 1.4 W, 5 A, 65 hFE | 当前型号 |
| 型号： MJD200T5G 品牌： 安森美 封装： DPak | 完全替代 | TRANS NPN 25V 5A DPAK | MJD200G和MJD200T5G的区别 |
| 型号： MJD200T4G 品牌： 安森美 封装： TO-252 NPN 25V 5A 1400mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJD200T4G 单晶体管 双极, NPN, 25 V, 65 MHz, 12.5 W, 5 A, 70 hFE | MJD200G和MJD200T4G的区别 |
| 型号： MJD200RLG 品牌： 安森美 封装： TO-252-3 NPN 25V 5A 1400mW | 类似代替 | 互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors | MJD200G和MJD200RLG的区别 |