CSD18504Q5A、CSD18504Q5AT、CSD18514Q5A对比区别

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型号 CSD18504Q5A CSD18504Q5AT CSD18514Q5A

描述 40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、6.6mΩ 8-VSONP -55 to 150CSD18514Q5A 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PowerTDFN-8 VSON-8 VSONP-8

耗散功率 77 W 3.1 W 3.1 W

上升时间 6.8 ns 6.8 ns 22 ns

输入电容(Ciss) 1656pF @20V(Vds) 1380pF @20V(Vds) 2060pF @20V(Vds)

下降时间 2 ns 2 ns 6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 77W (Tc) 3100 mW 3100 mW

通道数 1 - -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.0053 Ω - -

极性 N-Channel N-CH -

阈值电压 1.9 V - -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V -

连续漏极电流(Ids) 50A 50A -

额定功率(Max) 3.1 W - -

封装 PowerTDFN-8 VSON-8 VSONP-8

长度 5.8 mm - -

宽度 5 mm - -

高度 1.1 mm 1 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 正在供货 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead 无铅

ECCN代码 - EAR99 EAR99