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CSD18504Q5AT

CSD18504Q5AT

TI(德州仪器) 分立器件

40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、6.6mΩ 8-VSONP -55 to 150

表面贴装型 N 通道 50A(Ta) 3.1W(Ta),77W(Tc) 8-VSONP(5x6)


得捷:
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET


立创商城:
CSD18504Q5AT


德州仪器TI:
40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 6.6 mOhm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 75A 8-Pin VSONP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 77W; VSONP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R


CSD18504Q5AT中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.1 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 6.8 ns

输入电容Ciss 1380pF @20VVds

下降时间 2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-8

外形尺寸

高度 1 mm

封装 VSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD18504Q5AT引脚图与封装图
CSD18504Q5AT引脚图

CSD18504Q5AT引脚图

CSD18504Q5AT封装图

CSD18504Q5AT封装图

CSD18504Q5AT封装焊盘图

CSD18504Q5AT封装焊盘图

在线购买CSD18504Q5AT
型号 制造商 描述 购买
CSD18504Q5AT TI 德州仪器 40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、6.6mΩ 8-VSONP -55 to 150 搜索库存
替代型号CSD18504Q5AT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD18504Q5AT

品牌: TI 德州仪器

封装: VSONP N-CH 40V 50A

当前型号

40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、6.6mΩ 8-VSONP -55 to 150

当前型号

型号: CSD18504Q5A

品牌: 德州仪器

封装: VSON N-Channel 40V 50A

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