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BCR185S、DTB143EKT146、MUN5111DW1T1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR185S DTB143EKT146 MUN5111DW1T1G

描述 PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital TransistorDTB143EK 系列 50 V 500 mA 表面贴装 PNP 数字 晶体管 - SC-59ON Semiconductor ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 6

封装 SOT-363 SOT-23-3 SC-88-6

额定电压(DC) - -50.0 V -50.0 V

额定电流 - -500 mA -100 mA

无卤素状态 - - Halogen Free

极性 PNP PNP, P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 - 0.2 W 0.385 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 500mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 47 @50mA, 5V 35 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - 47 35 @5mA, 10V

额定功率(Max) - 200 mW 250 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 200 mW 385 mW

额定功率 - 200 mW -

增益带宽 - 200 MHz -

长度 - 2.9 mm 2 mm

宽度 - 1.6 mm 1.25 mm

高度 - 1.1 mm 0.9 mm

封装 SOT-363 SOT-23-3 SC-88-6

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - - EAR99