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BCR185S
Infineon 英飞凌 分立器件

PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -100MA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 10KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 47KΩ 基极与基极-发射极输入电阻比R1/R2 Base-Emitter Input Resistance RatioR1/R2 | 0.21 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 70 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 200mhz 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.3V 描述与应用 Description & Applications |  硅PNP型数字  开关电路、逆变器、接口电路、驱动电路  内置的偏置电阻 技术文档PDF下载 | 在线阅读

BCR185S中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 End of Life

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCR185S引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BCR185S Infineon 英飞凌 PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor 搜索库存
替代型号BCR185S
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCR185S

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-363/SC-88/SC70-6 PNP

当前型号

PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor

当前型号

型号: BCR183S

品牌: 英飞凌

封装:

完全替代

PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor

BCR185S和BCR183S的区别

型号: MUN5111DW1T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-363 PNP -50V -100mA 385mW

功能相似

ON Semiconductor ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

BCR185S和MUN5111DW1T1G的区别

型号: DTB143EKT146

品牌: 罗姆半导体

封装: SOT-346 PNP -50V -500mA 0.2W

功能相似

DTB143EK 系列 50 V 500 mA 表面贴装 PNP 数字 晶体管 - SC-59

BCR185S和DTB143EKT146的区别