VNN7NV0413TR、VNN7NV04PTR-E、VNN7NV04对比区别

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型号 VNN7NV0413TR VNN7NV04PTR-E VNN7NV04

描述 OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFETOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronicsOMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器电源管理MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-223

输出接口数 1 1 1

输出电流 - 12 A -

供电电流 0.1 mA 0.1 mA -

针脚数 - 4 -

耗散功率 7 W 7 W 7000 mW

输出电流(Max) 6 A 6 A 12 A

输入数 1 1 1

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 7000 mW 7000 mW 7000 mW

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 6.00 A - -

漏源极电阻 60.0 mΩ - -

极性 N-Channel - -

漏源击穿电压 40.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 6.00 A - -

上升时间 470 ns - -

输出电流(Min) 6 A - -

下降时间 350 ns - -

长度 6.50 mm 6.7 mm -

宽度 3.50 mm 3.7 mm -

高度 - 1.8 mm -

封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-223

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99