VNN7NV0413TR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 6.00 A
输出接口数 1
供电电流 0.1 mA
漏源极电阻 60.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 7 W
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 470 ns
输出电流Max 6 A
输出电流Min 6 A
输入数 1
下降时间 350 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 7000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.50 mm
宽度 3.50 mm
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
VNN7NV0413TR引脚图与封装图
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在线购买VNN7NV0413TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VNN7NV0413TR | ST Microelectronics 意法半导体 | OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号VNN7NV0413TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VNN7NV0413TR 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-261-4 | 当前型号 | OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： VNN7NV04PTR-E 品牌： 意法半导体 封装： | 类似代替 | OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics | VNN7NV0413TR和VNN7NV04PTR-E的区别 |
| 型号： VNN7NV04 品牌： 意法半导体 封装： SOT-223/SC-73/TO261-4 | 功能相似 | OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET | VNN7NV0413TR和VNN7NV04的区别 |