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VNN7NV04PTR-E

VNN7NV04PTR-E

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OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics

OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。

线性电流限制

热关闭

短路保护

ESD 保护

一体式夹

### 智能电源开关,STMicroelectronics


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223


欧时:
STMicroelectronics VNN7NV04PTR-E 智能电源开关, 3+Tab引脚 SOT-223封装


立创商城:
VNN7NV04PTR-E


e络盟:
功率负载驱动器, OMNIFET III, 功率MOSFET, 1输出, 0.06欧姆导通电阻, 40V钳位, 6A, SOT-223-3


艾睿:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 12A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Power Switch Lo Side 6A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


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VNN7NV04 系列 OMNIFET II 完全自动保护 低压侧 驱动器 - SOT-223


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儒卓力:
**LSS 60mOhm 40V SOT223 SMD **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 40V SOT223


Win Source:
MOSFET N-CH 40V SOT223


VNN7NV04PTR-E中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

输出电流 12 A

供电电流 0.1 mA

针脚数 4

耗散功率 7 W

输出电流Max 6 A

输入数 1

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 7000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.8 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

VNN7NV04PTR-E引脚图与封装图
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在线购买VNN7NV04PTR-E
型号 制造商 描述 购买
VNN7NV04PTR-E ST Microelectronics 意法半导体 OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。 线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics 搜索库存
替代型号VNN7NV04PTR-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: VNN7NV04PTR-E

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装:

当前型号

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics

当前型号

型号: VNN7NV0413TR

品牌: 意法半导体

封装: TO-261-4

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