FQB12N60CTM、FQB12P10TM、STB13NK60ZT4对比区别

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型号 FQB12N60CTM FQB12P10TM STB13NK60ZT4

描述 N沟道 600V 12ATrans MOSFET P-CH 100V 11.5A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RSTB13NK 系列 N 沟道 600 Vds 13 A 550 mOhm 150 W 二极管保护 Mosfet - D2Pak

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 600 V -100 V 600 V

额定电流 12.0 A -11.5 A 13.0 A

漏源极电阻 650 mΩ 240 mΩ 550 mΩ

极性 N-Channel P-Channel N-Channel

耗散功率 225 W 3.75 W 150 W

漏源极电压(Vds) 600 V 100 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 100 V 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 12.0 A 11.5 A 4.50 A

上升时间 85 ns 160 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 2290pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds) 2030pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.13 W 3.75 W 150 W

下降时间 90 ns 60 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 225W (Tc) 3.75W (Ta), 75W (Tc) 150W (Tc)

通道数 1 - 1

输入电容 2.29 nF - -

栅电荷 63.0 nC - -

长度 10.67 mm 10.67 mm 10.4 mm

宽度 9.65 mm 9.65 mm 9.35 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -